我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-11-21
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產(chǎn)品詳情/ PRODUCT DETAIL

標(biāo)題：金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

產(chǎn)品概述

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

型號(hào)	工作電壓	對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型探測(cè)器（Am-241 面源）真空下測(cè)量能量分辯率1.2%	對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型探測(cè)器（Am-241 面源）真空下測(cè)量峰道址 202
A-AS20	5~300VDC	大于1000	204~206
A-AS26	5~300VDC	大于1000	204~206
B-AS20	5~300VDC	大于1000	189-191
B-AS26	5~300VDC	大于1000	189-191

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